| Sıra No |
PROJE SONUÇ RAPORU BİLGİ FORMU |
| 1 |
Proje No |
: |
2017.05.02.596
|
| 2 |
Projenin Adı |
: |
Au/P3HT:F4TCNQ/n-Si Schottky Bariyer Diyotların F4-TCNQ Konsantrasyonuna Bağlı C-V ve G/w-V Karakterlerinin İncelenmesi
|
| 3 |
Projenin İlgili Olduğu Alan Adı |
: |
Temel Bilimler Araştırma Projesi (TBAP)
|
| 4 |
Proje Yürütücüsü |
: |
Doç.Dr. Özge TÜZÜN ÖZMEN
|
| 5 |
Proje Yürütücüsü E-posta |
: |
ozgetuzun@duzce.edu.tr
|
| 7 |
Proje Araştırıcıları |
: |
Yüksek Lisans Öğrencisi Aslıhan ÇİMEN
|
| 8 |
Projenin Başlama ve Bitiş Tarihi |
: |
24.10.2017
24.10.2019
|
| 9 |
Proje Süresi |
: |
24
|
| 10 |
Ek Süre |
: |
0
|
| 11 |
Ek Ödenek |
: |
0,00
|
| 12 |
Projenin Bütçesi |
: |
7.471,00
|
| 13 |
Toplam Harcama |
: |
6.844,00
|
| 14 |
İşbirliği Yapılan Kuruluş |
: |
Yok.
|
| 15 |
İşbirliği Yapılan Kuruluşun Desteği |
: |
Yok.
|
| 16 |
Projenin Amacı:
Au/P3HT:F4TCNQ/n-Si Schottky Bariyer Diyotların F4-TCNQ Konsantrasyonuna Bağlı C-V ve G/w-V Karakterlerinin İncelenmesi
|
| 17 |
Projenin Çıktıları:
A. DANACI, H. M. Şağban, T. Özdemir, Ö. Tüzün Özmen, “F4-TCNQ concentration dependent capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) characteristics of the Au/P3HT:F4-TCNQ/N-Si (MPS) Schottky barrier diodes”, International Journal of Engineering Science Invention, c. 7, sayı 7, ss. 17-25, 2018.
|
| 18 |
Proje Çıktılarının Bilime ve Uygulamaya Aktarılması:
Au/P3HT:F4TCNQ/n-Si Schottky Bariyer Diyotların F4-TCNQ Konsantrasyonuna Bağlı C-V ve G/w-V Karakterlerinin İncelenmesi
|
| 19 |
Proje Kapsamında Yapılan Yayınlar:
Internationational Journel of Engineering and Science Invention.
|
Tarih:
|
İmza:
|